當前位置：首頁 >> 技術文摘 >> 詳細內容
- 國家半導體開發(fā)出微細化、高精度的溫度傳感器
- 來源：賽斯維傳感器網(wǎng) 發(fā)表于 2011/4/24
荷蘭代爾夫特理工大學（TU Delft）教授Kofi Makinwa等的研究小組在2010年2月8日起舉辦的半導體國際會議“ISSCC”上宣布，開發(fā)出了不用修正即可實現(xiàn)±0.2℃精度的溫度傳感器（演講序號：17.4，溫度范圍為-55℃～125℃）。溫度傳感器由該大學與大型半導體溫度傳感器廠商美國國家半導體（National Semiconductor）共同開發(fā)而成，采用0.18μm的CMOS技術制造。
TU Delft主要從事溫度傳感器的研究工作，此前主要研發(fā)普通的帶隙型溫度傳感器，此次的產品為利用硅底板熱擴散系數(shù)（thermal-diffusivity）的溫度傳感器。TU Delft在08年的ISSCC上發(fā)表過相同原理的溫度傳感器，不過當時的精度為±0.5℃。此次通過實現(xiàn)微細化及改進電路，提高了精度。
一般情況下，半導體型溫度傳感器利用晶體管的基極-發(fā)射極電壓與溫度相關這一原理進行檢測，而此次傳感器的檢測原理與其不同。采用了名為ETF（electrothermal filter）的濾波器。ETF由加熱器及熱電堆構成，在脈沖驅動加熱器時，ETF可利用相隔一定距離的熱電堆檢測時間的推遲程度、即位相差。在CMOS技術的塊狀硅底板中，該位相差與溫度呈線形比例關系，因此可作為溫度傳感器工作。
另外，TU Delft在日前發(fā)布的CMOS基準振蕩器上也采用了此次的溫度傳感器的基礎部件ETF（參閱本站報道，演講序號：4.1）。（記者：進藤 智則）
轉載請注明來源：賽斯維傳感器網(wǎng)（www.delizhi.cn）
- 如果本文收錄的圖片文字侵犯了您的權益，請及時與我們聯(lián)系，我們將在24內核實刪除，謝謝！
技術文摘
